50-GHzf_T,70-GHzf_<max>シリコンバイポーラ技術 : USST
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概要
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近年、シリコンバイポーラトランジスタは、ベース抵抗およびBC間容量の低減による高f_<max>化が進められている。高f_<max>化の手法としてはデバイス微細化が最も効果的であり、また高いf_Tを同時に得るには外部ベース不純物プロファイルの浅接合化が必要である。今回、我々は窒化膜を用いたセルフアラインプロセス技術(USST)を開発し、デバイス微細化と外部ベースの高濃度浅接合化により高いf_Tとf_<max>を同時に実現したので以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
小中 信典
Ntt生活環境研究所
-
小舘 淳一
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
小舘 淳一
Ntt Lsi研究所
-
宇賀神 守
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
宇賀神 守
NTT LSI研究所
-
小林 由治
NTT LSI研究所
-
小中 信典
NTT LSI研究所
-
酒井 徹志
NTT LSI研究所
-
宇賀神 守
Ntt
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