選択CVD-W電極を用いたSiGeベースHBTのプロセス技術と特性解析
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概要
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超高速SiGeベースHBT用のデバイス, プロセス技術を開発した。60-nmSiGeエピタキシャルベースとSIC構造(選択的イオン注入コレクタ構造)により、f_Tで約40GHzを達成した。EB露光による0.2-μm幅のエミッタ窓と選択CVD-Wベース電極を用いることでベース抵抗を低減し、f_MAX>=37.1GHzを達成した。回路シミュレーションにより本デバイスのECLゲート遅延時間は、20ps以下になることが予想された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-25
著者
-
小中 信典
Ntt生活環境研究所
-
宇賀神 守
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
宇賀神 守
NTT通信エネルギー研究所
-
宇賀神 守
NTT LSI研究所
-
小中 信典
NTT LSI研究所
-
国井 泰夫
NTT物性科学基礎研究所
-
桑垣 衛
NTT
-
国井 泰夫
(株)日立国際電気電子機械事業部
-
国井 泰夫
NTT LSI研究所
-
宇賀神 守
Ntt
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