深いコレクタイオン注入層をもつセルフアラインバイポーラの高f_T,高コレクタ電流特性の検討
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概要
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高電流密度化、高子f_Tを目的に選択的イオン注入コレク夕(SIC)n領域をn^-エピ層の深い位置、n^+理込み層との境界に形成した新しいSIC構造、deep SIC構造をもつセルフアラインバイポーラを提案し、試作評価を行った結果、Vce=1〜3Vで1.9〜2.5倍の高コレクタ電流化、1.1〜1.4倍の高テf_Tできることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-01
著者
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