セルフアラインバイポーラの高γ線耐量構造の検討
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概要
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高周波セルフアラインバイボーラのγ線照射による電流利得の低下を抑制することを目的に, 外部ベースの高濃度化, エミッタ・ベース接合上の熱酸化膜/CVD膜構成法を検討した。試作評価の結果, 熱酸化膜/CVD窒化膜構成による酸化膜の薄層化が電流利得低下抑制に効果的であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-01
著者
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