選択的イオン注入コレクタ(SIC)構造バイポーラの高f_T/低ベース抵抗化不純物分布の検討
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概要
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選択的イオン注入コレクタ(Selectively Ion-implanted Collector, SIC)の不純物分布最適化を検討した.計算機実験とトランジスタ試作実験の結果, 従来比2倍のベース高濃度化とSIC領域形成によって, 20%の高f_T化と25%のベースシート抵抗低減化が両立できることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-25
著者
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