宇賀神 守 | Ntt
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概要
関連著者
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宇賀神 守
Ntt
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宇賀神 守
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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束原 恒夫
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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小舘 淳一
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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宇賀神 守
NTT通信エネルギー研究所
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束原 恒夫
NTT通信エネルギー研究所
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山岸 明洋
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山岸 明洋
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
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原田 充
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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小舘 淳一
NTT通信エネルギー研究所
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原田 充
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
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原田 充
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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門 勇一
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科電子システム工学部門
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高宮 真
東大
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門 勇一
京都工繊大
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竹内 敬治
NTTデータ
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井田 次郎
金沢工大
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川嶋 将一郎
富士通セミコンダクター(株)
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道関 隆国
立命館大
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門 勇一
Ntt通信エネルギー研究所
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小中 信典
Ntt生活環境研究所
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鈴木 賢司
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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宇賀神 守
NTT LSI研究所
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小中 信典
NTT LSI研究所
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川嶋 将一郎
富士通マイクロエレクトロニクス・システムマイクロ事業部
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高宮 真
日本電気株式会社
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井田 次郎
沖電気研究本部デバイス研究開発部
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道関 隆国
立命館大学
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竹内 敬治
(株)三菱総合研究所
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竹内 敬治
株式会社データリソース:信州大学繊維学部
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井田 次郎
沖電気
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竹内 敬治
株式会社nttデータ経営研究所 社会・環境戦略コンサルティング本部
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道関 隆国
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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小舘 淳一
Ntt Lsi研究所
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束原 恒夫
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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小舘 淳一
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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原田 充
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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宇賀神 守
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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山岸 明洋
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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佐藤 信彦
キヤノン株式会社
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岡部 剛士
キヤノン株式会社
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近江 和明
キヤノン株式会社
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米原 隆夫
キヤノン株式会社
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原田 充
NTT通信エネルギー研究所
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小林 由治
NTT LSI研究所
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酒井 徹志
NTT LSI研究所
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米原 隆夫
キャノン(株) デバイス開発本部 Eltran 事業推進センター
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佐藤 信彦
キャノン(株) デバイス開発本部 Eltran 事業推進センター
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道関 隆国
Ntt マイクロシステムインテグレーション研
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近江 和明
キャノン(株) デバイス開発本部 ELTRAN 事業推進センター
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中村 光男
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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道関 隆国
Ntt
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国井 泰夫
NTT物性科学基礎研究所
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門 勇一
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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桑垣 衛
NTT
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小舘 淳一
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
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国井 泰夫
(株)日立国際電気電子機械事業部
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門 勇一
京都工芸繊維大学 大学院工芸科学研究科 電子システム工学部門
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国井 泰夫
NTT LSI研究所
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門 勇一
京都工芸繊維大学
著作論文
- CMOS/SOI技術による1V動作Bluetooth RFトランシーバー(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- RF-CMOSの回路技術と将来展望
- 高抵抗SOI基板を用いたCMOS低雑音増幅器の特性向上
- 2GHz帯オンチップポリフェーズフィルタの高精度化に関する検討(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 2GHz帯オンチップポリフェーズフィルタの高精度化に関する検討
- 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
- CMOS/SIMOX技術によるイメージ抑圧比49dBの1V, 12mW, 2GHz動作RF受信機
- CMOS/SIMOX技術による1V動作2GHz帯RFフロントエンド回路 (「VLSI一般」)
- 50-GHzf_T,70-GHzf_シリコンバイポーラ技術 : USST
- 全差動型プリスケーラと低オフリークチャージポンプを用いたIV, 2.4GHz帯PLLシンセサイザ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 全差動型プリスケーラと低オフリークチャージポンプを用いたIV, 2.4GHz帯PLLシンセサイザ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 極低消費電力技術の広域ユビキタスネットワーク端末への展開 : マイクロワットからナノワットのセンサノードを目指して(物理設計,物理設計及び一般)
- CMOS/SOI技術による複素BPFと周波数逓倍器を備えた1V, 2.4GHz動作のFSK受信機
- CMOS/SOI技術による1V動作Bluetooth RFトランシーバー(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
- 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
- CMOS/SIMOX技術による閾値足し算型0.6V動作ボルテージ・リファレンス回路
- CMOS/SIMOX技術による閾値足し算型0.6V動作ボルテージ・リファレンス回路
- 選択CVD-W電極を用いたSiGeベースHBTのプロセス技術と特性解析
- センサーネット・エネルギーハーベスティングシステムに向けた超低消費電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- センサーネット・エネルギーハーベスティングシステムに向けた超低消費電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- センサーネット・エネルギーハーベスティングシステムに向けた超低消費電力技術 : パネル討論
- センサーネット・エネルギーハーベスティングシステムに向けた超低消費電力技術 : パネル討論