原田 充 | NTT通信エネルギー研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NTT通信エネルギー研究所の論文著者

関連著者

• 小舘 淳一

  Nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 束原 恒夫

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 原田 充

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 束原 恒夫

  NTT通信エネルギー研究所

• 原田 充

  NTT通信エネルギー研究所

• 原田 充

  Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所

• 小舘 淳一

  NTT通信エネルギー研究所

• 原田 充

  日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 山岸 明洋

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 山田 順三

  NTT通信エネルギー研究所

• 山岸 明洋

  NTT通信エネルギー研究所

• 山岸 明洋

  Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所

• 山岸 明洋

  Ntt通信エネルギー研

• 宇賀神 守

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 宇賀神 守

  NTT通信エネルギー研究所

• 小館 淳一

  NTT通信エネルギー研究所

• 宇賀神 守

  Ntt

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著作論文

• CMOS/SIMOX技術による1V動作2GHz帯RFフロントエンド回路 (「VLSI一般」)
• C-2-33 周波数レンジ切替機能を持つ6GHz帯低電圧CMOSモノリシックLC共振型VCO
• 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕
• 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕 (特集:VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)--デバイス・プロセス・RF関係)
• SOI CMOSによる低電圧RF回路の試作・評価
• 高抵抗SIMOX基板を用いた2GHz帯1V動作低雑音増幅器
• 高抵抗SIMOX基板を用いたA/D混載回路における基板クロストーク抑制法
• 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕 (特集:VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)--デバイス・プロセス・RF関係)

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