0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕
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概要
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近年爆発的に端末数が伸び今後も様々な形での普及が進むと予想される無線通信端末について、その無線回路部分の消費電力を大幅に削減できる技術を開発した。無線信号を扱う高周波回路の低電圧化を可能とする回路技術を考案し、SOI基板を用いたCMOS技術で1V以下・2GHz帯の高周波回路を実現した。この技術は、オンチップインダクタを用いた共振回路の働きと、新規考案の低電圧用バッファ回路などを活用することにより、従来動作不可能であった1V以下という低電圧でも高周波回路を実現可能とする。2GHz帯受信機用の高周波回路ブロック3品種を試作した結果、合計の消費電力が0.5V動作時に9mWと低消費電力を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
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小舘 淳一
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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束原 恒夫
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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山岸 明洋
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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原田 充
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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束原 恒夫
NTT通信エネルギー研究所
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山田 順三
NTT通信エネルギー研究所
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原田 充
NTT通信エネルギー研究所
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山岸 明洋
NTT通信エネルギー研究所
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小館 淳一
NTT通信エネルギー研究所
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原田 充
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
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原田 充
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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山岸 明洋
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
-
山岸 明洋
Ntt通信エネルギー研
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