0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年爆発的に端末数が伸び今後も様々な形での普及が進むと予想される無線通信端末について、その無線回路部分の消費電力を大幅に削減できる技術を開発した。無線信号を扱う高周波回路の低電圧化を可能とする回路技術を考案し、SOI基板を用いたCMOS技術で1V以下・2GHz帯の高周波回路を実現した。この技術は、オンチップインダクタを用いた共振回路の働きと、新規考案の低電圧用バッファ回路などを活用することにより、従来動作不可能であった1V以下という低電圧でも高周波回路を実現可能とする。2GHz帯受信機用の高周波回路ブロック3品種を試作した結果、合計の消費電力が0.5V動作時に9mWと低消費電力を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
-
小舘 淳一
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
束原 恒夫
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山岸 明洋
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
原田 充
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
束原 恒夫
NTT通信エネルギー研究所
-
山田 順三
NTT通信エネルギー研究所
-
原田 充
NTT通信エネルギー研究所
-
山岸 明洋
NTT通信エネルギー研究所
-
小館 淳一
NTT通信エネルギー研究所
-
原田 充
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
-
原田 充
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山岸 明洋
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
-
山岸 明洋
Ntt通信エネルギー研
関連論文
- A-21-13 実時間応用に向けた2-Mb/s UHF帯無線センサ端末(A-21.センサネットワーク,基礎・境界)
- 低消費電力の2.4GHz帯近距離無線用CMOS LSIに内蔵する送信用電力増幅器
- C-12-17 近距離無線用 LSI に用いる 2.4 GHz 帯 CMOS 電力増幅器
- CMOS/SOI技術による1V動作Bluetooth RFトランシーバー(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- RF-CMOSの回路技術と将来展望
- SOI回路技術を適用した自然エネルギー携帯端末
- 高抵抗SOI基板を用いたCMOS低雑音増幅器の特性向上
- 2GHz帯オンチップポリフェーズフィルタの高精度化に関する検討(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 2GHz帯オンチップポリフェーズフィルタの高精度化に関する検討
- 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
- LCタンクを用いたSOI低電圧RF回路
- CMOS/SIMOX技術によるイメージ抑圧比49dBの1V, 12mW, 2GHz動作RF受信機
- CMOS/SIMOX技術によるイメージ抑圧比49dBの1V, 12mW, 2GHz動作にRF受信機
- CMOS/SIMOX技術による1V動作2GHz帯RFフロントエンド回路 (「VLSI一般」)
- CMOS/SOIを用いた無線用低電圧回路技術 (特集論文 極低電力情報端末用LSI)
- C-2-33 周波数レンジ切替機能を持つ6GHz帯低電圧CMOSモノリシックLC共振型VCO
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕 (特集:VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)--デバイス・プロセス・RF関係)
- SOI CMOSによる低電圧RF回路の試作・評価
- 極低電力情報端末用LSIの研究開発プロジェクトの概要
- 高抵抗SIMOX基板を用いた2GHz帯1V動作低雑音増幅器
- 高抵抗SIMOX基板を用いたA/D混載回路における基板クロストーク抑制法
- 50-GHzf_T,70-GHzf_シリコンバイポーラ技術 : USST
- 2000年IEEE MTT-S : 国際マイクロ波シンポジウム出席報告
- 極低消費電力CMOS/SOI回路技術
- [招待講演]ユビキタス・コミュニケーションに向けたハードウエア技術(ユビキタス時代を支える技術)
- [招待講演]ユビキタス・コミュニケーションに向けたハードウェア技術(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 超小型ネットワークアプライアンス実現に向けた低電力回路技術 (特集 HIKARIビジョンの実現に向けたユビキタスサービス(その2)ユビキタスサービスを支える基盤技術)
- SOI CMOSによる低電圧アナログ増幅回路の試作・評価
- 21世紀に向けた半導体メモリの技術課題とロードマップ
- デジタル回路のみで固有周波数を切換える高速起動PLL(マイクロ波超伝導/一般)
- CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
- CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
- CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
- 1V動作メモリマクロセル技術
- EOハンディープローブを用いた極低電圧CMOS回路のEMC耐性解析 : Sub-1V MTCMOS/SIMOX回路の高EMC耐性実証
- EOハンディープローブを用いた極低電圧CMOS回路のEMC耐性解析 : Sub-1V MTCMOS/SIMOX回路の高EMC耐性実証
- B-8-14 広域ユビキタスネットワークにおける無線端末用低電力・省面積高周波回路技術(B-8.通信方式,一般セッション)
- B-8-13 広域ユビキタスネットワークにおける無線端末の省電力化設計技術(B-8.通信方式,一般セッション)
- デジタル回路のみで固有周波数を切換える高速起動PLL(マイクロ波超伝導/一般)
- 全差動型プリスケーラと低オフリークチャージポンプを用いたIV, 2.4GHz帯PLLシンセサイザ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 全差動型プリスケーラと低オフリークチャージポンプを用いたIV, 2.4GHz帯PLLシンセサイザ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 2V,2GHz,低電力DDSチップセット
- 2V、2GHz、低電力DDSチップセット
- 極低消費電力技術の広域ユビキタスネットワーク端末への展開 : マイクロワットからナノワットのセンサノードを目指して(物理設計,物理設計及び一般)
- 極低電力情報端末用LSIの研究開発プロジェクトの概要
- IF高速バーストAGC増幅器の構成法に関する一検討
- B-8-15 広域ユビキタスネットワークにおける暗号演算回路の低消費電力化設計(B-8.通信方式,一般セッション)
- AESに対するCPA攻撃のシミュレーション評価
- 低スプリアスSiバイポーラ周波数逓倍器
- C-12-59 デジタル回路のみで固有周波数を切換える高速起動PLL(C-12.集積回路,一般セッション)
- バイアス雑音を低減したCMOS電圧制御発振器(アナログ回路技術ショートノート-アナログ回路技術の創造と伝承を目指して-)
- C-12-25 MOS伝達ゲートを用いたバイアス雑音遮断電圧制御発振器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- デジタル回路で構成した300MHz帯無線送信機LSIと低電力センサー端末への適用(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- デジタル回路で構成した300MHz帯無線送信機LSIと低電力センサー端末への適用(ワイヤレスとワイヤライン,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- CMOS/SOI技術による複素BPFと周波数逓倍器を備えた1V, 2.4GHz動作のFSK受信機
- CMOS/SOI技術による1V動作Bluetooth RFトランシーバー(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- +1V電源で動くRFトランシーバLSIを開発--「RF System on a Chip」を実現へ
- 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
- 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
- CMOS/SIMOX技術による閾値足し算型0.6V動作ボルテージ・リファレンス回路
- CMOS/SIMOX技術による閾値足し算型0.6V動作ボルテージ・リファレンス回路
- 2000年IEEE MTT-S : 国際マイクロ波シンポジウム出席報告
- GHz帯ECL低電力2モジュラスプリスケーラの設計技術
- C-2-11 無線携帯端末搭載を目指した超低消費電力DDS-IC(株)
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕 (特集:VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)--デバイス・プロセス・RF関係)
- 無線端末技術の動向とCMOS技術によるインテグレーション(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 位相面の対称性を利用したROMによる位相検出方法とそれを用いた85Mbit/s DQPSK変復調LSI(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- 可変積分器を用いた位相補間型ダイレクトディジタルシンセサイザ
- 可変積分器を用いた位相補完型ダイレクトデジタルシンセサイザIC
- C-2-21 対称構造の遅延発生器を用いた位相補間型DDS
- 低電力ワンチップ無線トランシーバ用RF回路技術 (特集論文1 低エネルギーシステムを実現するSIMOX LSIアプリケーション技術)
- MOSFET/SOI技術を用いた2GHz帯及び4-6GHz帯低雑音アンプ
- 80Mbps 3V QPSK MODEM-LSI
- 遅延回路を用いた位相補間型DDSの検討
- 広帯域D/Aによる二重積分器を用いた周波数シンセサイザ
- 二重積分器を用いた周波数シンセサイザの検討
- 極低電力を実現するCMOS/SOI・LSI技術 (特集論文 極低電力情報端末用LSI)
- 低消費電力LSIの研究開発動向 (特集論文1 低エネルギーシステムを実現するSIMOX LSIアプリケーション技術)
- ATMワイヤレスアクセス試作装置無線部技術 (特集論文 ATMワイヤレスアクセス方式)
- エネルギーハーベスティングによる無線センサ端末動作を実現するサブナノワット回路技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- エネルギーハーベスティングによる無線センサ端末動作を実現するサブナノワット回路技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- TA-1-6 シリコンRF回路
- 超小型センサーノード実現に向けた無線送信機構成法(一般,有線/無線シームレスネットワーク,ハンドオーバ,リレー,分散,MIMO,モバイル・アドホックネットワーク,ユビキタス・センサネットワーク,一般)
- B-5-96 920MHz帯を用いたM2M無線アクセスにおける伝送プロトコルに関する一検討(B-5.無線通信システムB(無線アクセスネットワーク),一般セッション)
- 太陽電池駆動5mm角ワイヤレスセンサノードを実現するフィードバック型ソースフォロワを採用した間欠送信回路(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 太陽電池駆動5mm角ワイヤレスセンサノードを実現するフィードバック型ソースフォロワを採用した間欠送信回路(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)