EOハンディープローブを用いた極低電圧CMOS回路のEMC耐性解析 : Sub-1V MTCMOS/SIMOX回路の高EMC耐性実証
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概要
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LSIの高速化により,電子機器のEMC対策が困難になってきている。LSIからの不要輻射は,主に電源電流に起因するため,これを防ぐためには,電源電圧を下げることが効果的である。したがって,極低電圧回路は,イミュニティーの問題を解決できれば,EMC対策を大きく軽減できる。本報告では,我々が極低電圧回路として提案しているSub-1V MTCMOS/SIMOX回路,および,従来のCMOS回路のEMC耐性について述べる。特に,EOハンディープローブを用いたEMC耐性解析を通して,LSIの誤動作メカニズムを解明するとともに,MTCMOS/SIMOX回路の高いEMC耐性を実証する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-02
著者
-
山田 順三
NTT通信エネルギー研究所
-
道関 隆国
NTT通信エネルギー研究所
-
島村 俊重
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
島村 俊重
NTT通信エネルギー研究所
-
道関 隆国
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
品川 満
Ntt通信エネルギー研究所
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