1GHz級動作サブ0.5V差動型ED-CMOS/SOI回路技術(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
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概要
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電源電圧が0.5V以下の極低電圧下で動作速度が1GHzを超える極低電圧・超高速回路構成として、差動型のED-CMOS/SOI回路を提案する。信号のクリティカルパスとなる回路ブロックをED-MOS/SOI回路で構成し、非クリティカルパスとなる回路ブロックをCMOS/SOI回路で構成することにより、高速動作と低電力動作を同時に実現する。ED-CMOS/SOI回路を1/8分周器、および、32-bit加算器に適用した適用例を示す。分周器では、高速動作が要求される初段の分周器をED-CMOS/SOI回路で構成し、次段以降の分周器を零しきい値電圧型のCMOS/SOI回路で構成したED-CMOS分周期構成を、また、加算器では、多段のED-MOS論理ゲートをCMOSレジスタで分割したパイプライン型ED-CMOS加算器構成を述べる。最後に、ED-CMOS/SOI回路の有用性を示すために各LSIを0.25-μm MTCMOS/SOIプロセスで試作した場合、1/8分周器は、0.3 V電源で3.6 GHzの動作速度が、また、32-bit BLC加算器では、0.5V電源で1GHzの動作速度が得られることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-12
著者
-
道関 隆国
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
島村 俊重
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
道関 隆国
Ntt マイクロシステムインテグレーション研
-
柴田 信太郎
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
道関 隆国
Ntt
-
柴田 信太郎
Nttマイクロシステムインテグ レーション研究所
-
柴田 信太郎
Nttマイクロシステムインテグレーション
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