1V,10MHz動作Multi-Threshold CMOS論理回路技術
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概要
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Multi-Threshold CMOS回路技術を用い、電源電圧1Vで高速・低電力な論理LSI回路技術を開発した。この技術は高しきい値MOSFETと低しきい値MOSFETを混載し、低しきい値トランジスタで電源電圧1Vでの高速動作を、高しきい値トランジスタでスタンバイ時の低電力特性を得るものである。本技術により、電源電圧1Vで1.7nsの論理ゲートのプロパゲーションデレーを、0.3uW, MHz/gateの電力特性を実現した。さらに、本技術の有用性を実証するため、本技術を用いたPLL-LSIを0.5umCMOSプロセスで試作し、電源電圧1Vで18MHz動作の高速動作特性を得た。
- 1993-10-21
著者
-
道関 隆国
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
武藤 伸一郎
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
道関 隆国
NTT通信エネルギー研究所
-
武藤 伸一郎
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
松谷 康之
NTT LSI研究所
-
山田 順三
NTT LSI研究所
-
松谷 康之
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山田 順三
Ntt 通信エネルギー研
-
山田 順三
Ntt
-
道関 隆国
Ntt Lsi 研究所
-
武藤 伸一郎
NTT LSI研究所
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