0.5V MTCMOS/SIMOX回路の動作マージン評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
0.5 V以下の極低電圧論理回路として, MT (Multi-Threshold) CMOS回路とSIMOX技術を組合せたMTCMOS/SIMOX回路を提案した。今回, 上記回路の動作マージン評価として, 温度変動が回路性能に及ぼす影響を評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
道関 隆国
NTT通信エネルギー研究所
-
道関 隆国
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
原田 充
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
土屋 敏章
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
土屋 敏章
島根大総理工
関連論文
- 極低電力情報端末用LSIの研究開発プロジェクトの概要
- CMOS/S0Iによる低電圧アナログ基本回路の性能 (特集論文 極低電力情報端末用LSI)
- SOI CMOSによる低電圧アナログ増幅回路の試作・評価
- アナログ回路の低電圧限界と設計手法
- ヘテロ接合・界面構造の制御
- B-4-44 低電圧CMOS回路の電磁波耐性改善手法
- EOハンディプローブを用いた極低電圧CMOS回路のEMC耐性評価
- 極低電圧CMOS回路におけるしきい値電圧設定法の評価
- 極低電圧CMOS回路におけるしきい値電圧設定法
- 極低電圧CMOS回路におけるしきい値電圧設定法
- 極低電圧CMOS回路におけるしきい値電圧設定法
- 極低電圧CMOS回路におけるしきい値電圧設定法
- 半導体デバイス微細化スケーリング路線の転換期
- 選択W-CVDプロセスを導入した完全空乏型極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイLSI
- MTCMOS技術を用いた1V・CMOSメモリセルのソフトエラー耐性評価
- エネルギー遅延積を用いたMTCMOS回路V_最適化
- エネルギー遅延積を用いたMTCMOS回路性能評価
- 1V,10MHz動作Multi-Threshold CMOS論理回路技術
- EOハンディープローブを用いた極低電圧CMOS回路のEMC耐性解析 : Sub-1V MTCMOS/SIMOX回路の高EMC耐性実証
- EOハンディープローブを用いた極低電圧CMOS回路のEMC耐性解析 : Sub-1V MTCMOS/SIMOX回路の高EMC耐性実証
- 3つのしきい値電圧を有する極低電圧CMOS/SIMOX回路
- 3つのしきい値電圧を有する極低電圧CMOS/SIMOX回路
- 太陽電池駆動・極低電圧CMOS回路技術 (特集論文 低電力LSIを実現する1V MTCMOS技術)
- 低電圧MTCMOS/SIMOXにおける閾値電圧ばらつきの抑制
- 0.5V MTCMOS/SIMOX回路の動作マージン評価
- 0.5V MTCMOS/SlMOX回路
- 0.5V動作MTCMOS/SIMOX回路
- SOIデバイスの展望
- 第15回アクティブマトリックスフラットパネルディスプレイ国際会議(AM-FPD'08)報告
- 極低電力情報端末用LSIの研究開発プロジェクトの概要
- 極低電圧ディジタル回路技術 (特集論文 極低電力情報端末用LSI)
- ED2000-116 / SDM2000-98 / ICD2000-52 3しきい値CMOS/SIMOX回路構成法による低電力54x54-b乗算器
- ED2000-116 / SDM2000-98 / ICD2000-52 3しきい値CMOS/SIMOX回路構成法による低電力54x54-b乗算器
- ED2000-116 / SDM2000-98 / ICD2000-52 3しきい値CMOS/SIMOX回路構成法による低電力54 x 54-b乗算器
- BDD型断熱充電電荷リサイクル8bit乗算回路
- 極低電圧ディジタル回路技術 (特集論文1 低エネルギーシステムを実現するSIMOX LSIアプリケーション技術)
- C-12-24 スイッチトキャパシタ型4相方式断熱充電電荷リサイクル回路
- BDD型断熱充電電荷リサイクル回路による低消費電力論理回路
- 非同期型多しきい値CMOS論理回路の検討
- MOSFET/SOI技術を用いた2GHz帯及び4-6GHz帯低雑音アンプ