3つのしきい値電圧を有する極低電圧CMOS/SIMOX回路
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概要
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3つのしきい値電圧を有するMOSFETを用いた、極低電圧CMOS/SIMOX回路構成法について論ずる。論理回路部を低と中の2つのしきい値電圧のMOSFETにより、パワースイッチを高しきい値電圧のMOSFETにより、それぞれ構成する。従来の低電圧回路では、スタンバイ時のリーク電流を削減することはできても動作時のリーク電流を削減することはできなかった。本回路では、クリティカルパスを低しきい値MOSFETにより、非クリティカルパスを中しきい値MOSFETによりそれぞれ構成することで、速度性能を維持したまま、動作時のリーク電流を削減することができる。試作した0.5V, 5ns動作16-bit加算器では、動作時のリーク電流を60%削減できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-23
著者
-
道関 隆国
NTT通信エネルギー研究所
-
道関 隆国
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
原田 充
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
藤井 孝治
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
藤井 孝治
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
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