0.5V動作MTCMOS/SIMOX回路
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概要
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SIM0X技術を用いたマルチしきい値CMOS論理(MTCMOS)回路として、完全空乏型の低しきい値論理回路と部分空乏型の高しきい値パワースイッチトランジスタを用いるMTCMOS/SIM0X回路構成を提案した。木回路構成を用いることにより、リーク電流の急激な上昇なく0.4Vまでの低電圧動作が可能となることを示す。本回路の有効性を確めるために0.25μmMTCMOS/SIMOX技術で設計、試作した、ゲート遅延TEG、および0.5V、40MHz動作16ビットALUの評価結果を述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-18
著者
-
道関 隆国
NTT通信エネルギー研究所
-
田辺 泰之
NTT通信エネルギー研究所
-
猪川 洋
NTT LSI研究所
-
土屋 敏章
NTT LSI研究所
-
道関 隆国
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
道関 隆国
Ntt Lsi 研究所
-
原田 充
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
重松 智志
NTT LSI研究所
-
原田 充
NTT LSI研究所
-
田辺 泰之
NTT LSI研究所
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