低電圧MTCMOS/SIMOXにおける閾値電圧ばらつきの抑制
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概要
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0.5V以下の低電圧で動作するMTCMOS/SIMOXにおける閾値電圧ばらつきについて、パワースイッチトランジスタを中心に述べる。スイッチトランジスタに、ゲート入力がボディにも印可される構造の可変閾値MOSFETを用いることにより,従来型のスイッチに比べ閾値電圧ばらつきが抑制されることがわかった。製造工程におけるばらつきだけでなく、電源電庄変動に起因したばらつきにも強い。閾値電圧ばらつきが抑制された結果、低電圧領域におけるゲート遅延時間のばらつきが抑制されることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-14
著者
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