エネルギー遅延積を用いたMTCMOS回路V_<th>最適化
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概要
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MTCMOS回路は、しきい値電圧(V_<th>)の異なる2種類のMOSFETを用い、低電圧回路の高速動作とスタンバイ時の低電力化を実現したもので、高速動作のために、V_<th>を下げたMOSFETを論理回路に用いている。低V_<th>MOSFETは、遅延を減少させるが、MOSFETのリーク電流(貫通電流)が増加するという問題がある。このため、応用する回路に応じて遅延とリーク電流のバランスが最適となるV_<th>を定める必要がある。本論文ではエネルギー遅延積(ED積)を用いた回路に応じた最適なV_<th>を定める手法を示す。
- 1995-03-27
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