1V動作メモリマクロセル技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
無線電話等の携帯情報端末では電池の重量や容積が全体に占める割合が大きく、小形軽量化の要求からニカド電池1本で長時間動作するASICに期待が寄せられている。本論文では、この用途を狙い1Vまで動作を保証できるメモリマクロセルの設計法を論じる。低閾値電圧のMOSTは速度性能を得る上で有効であるが、メモリセル部については消費電力の点で適用が難しいこと、この条件下では同期形仕様が高速動作に適することを示す。次に、デコーダ、センス回路等の周辺回路の構成について比較検討し、消費電力と速度性能の点でMT-CMOS形が有利であることを結論づける。最後に0.5μmCMOSプロセスによるマクロセルの試作例で30MHz動作の性能を示す。
- 1994-12-16
著者
-
武藤 伸一郎
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山田 順三
NTT通信エネルギー研究所
-
山田 順三
NTT LSI研究所
-
山田 順三
Ntt 通信エネルギー研
-
山田 順三
Ntt
-
伊達 滋
NTT LSI研究所
-
武藤 伸一郎
NTT LSI研究所
-
柴田 信太郎
NTT LSI研究所
関連論文
- A-21-13 実時間応用に向けた2-Mb/s UHF帯無線センサ端末(A-21.センサネットワーク,基礎・境界)
- LCタンクを用いたSOI低電圧RF回路
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕 (特集:VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)--デバイス・プロセス・RF関係)
- SOI CMOSによる低電圧RF回路の試作・評価
- 極低電力情報端末用LSIの研究開発プロジェクトの概要
- 集積化CMOS-MEMS技術とその応用(配線・実装技術と関連材料技術)
- 集積化CMOS-MEMS技術
- 集積化CMOS-MEMS技術とその応用 (特集 MEMS技術のパッケージ分野への応用)
- 集積化CMOS-MEMS技術とその応用
- 低電圧A/D、D/A変換技術
- 完全空乏型CMOS/SIMOX素子の低電圧・低消費電力型VLSI構成要素としての優位性
- 実時間MPEG-AUDIOエンコーダソフトウェア
- B-1-230 到来方向推定を用いた高精度位置推定手法の検討(B-1. アンテナ・伝播C(アンテナシステム), 通信1)
- B-6-53 遠隔地の実オブジェクトに触る Stick-on Communicator (StiC)
- [招待講演]ユビキタス・コミュニケーションに向けたハードウエア技術(ユビキタス時代を支える技術)
- [招待講演]ユビキタス・コミュニケーションに向けたハードウェア技術(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- SOI CMOSによる低電圧アナログ増幅回路の試作・評価
- エンベデッドプロセッサを用いた低電圧LSI用パワーマネージメント手法
- MTCMOS技術による低電圧/低電力ディジタル信号処理プロセッサの設計
- パワーマネージメントに適した1V高速動作MTCMOS DFF回路
- パワーダウン・アプリケーションに適した1V高速MTCMOS回路技術
- MTCMOSによる1V高速動作ディジタルフィルタLSI
- 21世紀に向けた半導体メモリの技術課題とロードマップ
- 内蔵型マルチポートRAMに対する効率的テスト手法
- アナログ的な音声デジタル通信とそれを利用した低電力化回路技術
- 日常生活をサポートするセンサ利用ハードウェア技術 (特集 次世代ホームネットワークサービス)
- 実世界とネットワークを結合する小型デバイスとそのブロードバンド応用--スティックオン・コミュニケータ (特集 ユビキタスサービスを支える先進ハードウェア技術)
- 低電圧対応パワ-マネジメント機構を有するMTCMOSディジタル信号処理プロセッサ (特集論文 低電力LSIを実現する1V MTCMOS技術)
- 0.5V動作 高速・低リーク電流出力回路の検討
- 0.25μm SIMOX/MTCMOS技術による290Kゲート, 1V, 100MHz動作ULSIの設計
- 0.25μm SIMOX/MTCMOS技術による290Kゲート, 1V, 100MHz動作ULSIの設計
- 0.25μm SIMOX/MTCMOS技術による290Kゲート, 1V, 100MHz動作ULSIの設計
- 最小消費電力動作を実現するパワーマネジメント手法の提案
- 最小消費電力動作を実現するパワーマネジメント手法の提案
- 最小消費電力動作を実現するパワーマネジメント手法の提案
- エンベデッドプロセッサによる低電圧高速LSI対応パワーマネジメント手法の提案
- 低電圧対応電力制御機構を採用した1V動作MTCMOS DSP
- MTCMOS技術を用いた1V・CMOSメモリセルのソフトエラー耐性評価
- エネルギー遅延積を用いたMTCMOS回路V_最適化
- エネルギー遅延積を用いたMTCMOS回路性能評価
- 1V動作メモリマクロセル技術
- MTCMOS回路における遅延時間の温度依存性
- 1V・低電力・高速動作MTCMOS論理回路技術 (これからの電子機器に必要不可欠!--低電圧・低消費電力回路技術)
- 1V,10MHz動作Multi-Threshold CMOS論理回路技術
- 微細CMOSメモルセルのスタティックノイズマージン解析
- EOハンディープローブを用いた極低電圧CMOS回路のEMC耐性解析 : Sub-1V MTCMOS/SIMOX回路の高EMC耐性実証
- EOハンディープローブを用いた極低電圧CMOS回路のEMC耐性解析 : Sub-1V MTCMOS/SIMOX回路の高EMC耐性実証
- 1V・0.85mW・17bit精度オーディオ用ノイズシェーピング D/A変換回路技術
- 今なぜASIC(エーシック)なのか
- 1V動作ASIC用高速メモリマクロセル技術
- 2V,2GHz,低電力DDSチップセット
- 2V、2GHz、低電力DDSチップセット
- 水平垂直パリティ方式による多ビット出力自己訂正メモリの構成法
- メモリLSIにおける自己訂正方式
- 極低電力情報端末用LSIの研究開発プロジェクトの概要
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕 (特集:VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)--デバイス・プロセス・RF関係)
- 極低電力を実現するCMOS/SOI・LSI技術 (特集論文 極低電力情報端末用LSI)
- 低消費電力LSIの研究開発動向 (特集論文1 低エネルギーシステムを実現するSIMOX LSIアプリケーション技術)
- 1V動作電荷再利用形入出力バッファ
- 1V動作ステップダウン昇圧ワード線方式
- 1Vバッテリ動作1MbSRAM
- 低電圧SRAM用高感度ラッチ形センス回路
- 電流形センス回路に適した高速メモリアレイ構成
- 200MHz動作0.5μmSRAMマクロセル
- 0.5μmSRAMにおけるビット線イコライズの効果
- 0.5ミクロンBiCMOSゲ-トアレイ用メモリマクロセル構成技術 (0.5ミクロンBiCMOSゲ-トアレイ設計・製造技術)
- メモリ回路設計技術 (サブミクロンASIC設計技術)
- フォ-ルトトレランス機能組込みVLSIチップ--誤り訂正機能付きメモリ (フォ-ルトトレラントシステム) -- (フォ-ルトトレラントシステム)
- 2ポートRAMの一消費電力低減法
- 同期形高速SRAMマクロセルの性能評価法 : テストチップの設計とLSIテスタによる評価
- LSIテスタによる高速メモリマクロセルの一試験法
- 先見ビット線プルアップ方式による低電力FIFOメモリ
- 疑似GND線方式による低電力SRAMマクロセル
- 低電力周期型RAMマクロセル
- 1V動作高速SRAMセル
- 超高感度カレントミラー形センス回路
- ASIC用高速ROMマクロセル技術
- ビット線マルチプレクサの特性ばらつきが電流形センス回路に与える影響
- 低電圧メモリにおける電流形センス回路の構成法
- 高感度電流形センス回路
- 0.5μm高速ROMマクロセル
- エネルギーハーベスティングによる無線センサ端末動作を実現するサブナノワット回路技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- エネルギーハーベスティングによる無線センサ端末動作を実現するサブナノワット回路技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)