1V動作高速SRAMセル
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概要
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携帯機器では小形軽量化の要請により、1V程度の低電圧で高速動作し、待ち受け期間中の電池の消耗が少ないLSIが必要である。これに応える回路技術としてMTCMOSが提案されておりSRAMの試作例も報告されているが、速度性能の点で改善の余地がある。この度、低電圧SRAM用の高速かつ低消費電力なメモリセル構成について検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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