1V動作ASIC用高速メモリマクロセル技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
携帯電話や電子手帳等の携帯機器では小形軽量化の要求からニカド電池1本で長時間動作するASICに期待が寄せられている.本論文ではこの用途を狙い1Vまで動作を保証できるメモリマクロセルの設計法を論じた.同期形仕様を採用し,入出力にレジスタを配置してパイプライン動作させることで高速化を図った.回路設計ではメモリセルをサブスレッショルドリーク電流の少ない高しきい値電圧のMOST,周辺回路を低しきい値電圧のMOSTと高しきい値電圧のスイッチMOSTを組み合わせたMTCMOS回路で構成することで速度性能の向上と低消費電力化を図った.ビット線をダイナミック動作させることでビット線遅延を短縮すると共に,ビット線のプリチャージトランジスタに低しきい値電圧のNchMOSTを適用することでメモリセルの動作マージンを確保しつつカレントミラー形センス回路を高感度化した.0.5μmMTCMOSプロセスでTEGを試作し2Kワード×6ビット構成のSRAMを評価した結果,最高動作周波数として標準動作電圧(1.2V)で44MHz,動作保証電圧(1V)で30MHzを得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-25
著者
関連論文
- 完全空乏型CMOS/SIMOX素子の低電圧・低消費電力型VLSI構成要素としての優位性
- 内蔵型マルチポートRAMに対する効率的テスト手法
- 1V動作メモリマクロセル技術
- 1V動作ASIC用高速メモリマクロセル技術
- 2V,2GHz,低電力DDSチップセット
- 2V、2GHz、低電力DDSチップセット
- 水平垂直パリティ方式による多ビット出力自己訂正メモリの構成法
- メモリLSIにおける自己訂正方式
- 1V動作電荷再利用形入出力バッファ
- 1V動作ステップダウン昇圧ワード線方式
- 1Vバッテリ動作1MbSRAM
- 低電圧SRAM用高感度ラッチ形センス回路
- 電流形センス回路に適した高速メモリアレイ構成
- 200MHz動作0.5μmSRAMマクロセル
- 0.5μmSRAMにおけるビット線イコライズの効果
- 2ポートRAMの一消費電力低減法
- 同期形高速SRAMマクロセルの性能評価法 : テストチップの設計とLSIテスタによる評価
- LSIテスタによる高速メモリマクロセルの一試験法
- 先見ビット線プルアップ方式による低電力FIFOメモリ
- 疑似GND線方式による低電力SRAMマクロセル
- 低電力周期型RAMマクロセル
- 1V動作高速SRAMセル
- 超高感度カレントミラー形センス回路
- ASIC用高速ROMマクロセル技術
- ビット線マルチプレクサの特性ばらつきが電流形センス回路に与える影響
- 低電圧メモリにおける電流形センス回路の構成法
- 高感度電流形センス回路
- 0.5μm高速ROMマクロセル