超高感度カレントミラー形センス回路
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ゲートアレイの基本セルを用いて実現されるSRAMは、構造的にビット線の寄生容量が大きく、アクセス時間の短縮にはビット線信号の小振幅化が必要である。この度、その信号検出に用いるカレントミラー形センス回路の高感度化の検討を行い、試作の結果良好な特性を得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
関連論文
- 内蔵型マルチポートRAMに対する効率的テスト手法
- 1V動作メモリマクロセル技術
- 1V動作ASIC用高速メモリマクロセル技術
- 1V動作電荷再利用形入出力バッファ
- 1V動作ステップダウン昇圧ワード線方式
- 1Vバッテリ動作1MbSRAM
- 低電圧SRAM用高感度ラッチ形センス回路
- 電流形センス回路に適した高速メモリアレイ構成
- 200MHz動作0.5μmSRAMマクロセル
- 0.5μmSRAMにおけるビット線イコライズの効果
- 2ポートRAMの一消費電力低減法
- 同期形高速SRAMマクロセルの性能評価法 : テストチップの設計とLSIテスタによる評価
- LSIテスタによる高速メモリマクロセルの一試験法
- B-7-68 多目的利用に適したICカードシステム構成法
- 先見ビット線プルアップ方式による低電力FIFOメモリ
- 疑似GND線方式による低電力SRAMマクロセル
- 低電力周期型RAMマクロセル
- 1V動作高速SRAMセル
- 超高感度カレントミラー形センス回路
- ASIC用高速ROMマクロセル技術
- ビット線マルチプレクサの特性ばらつきが電流形センス回路に与える影響
- 低電圧メモリにおける電流形センス回路の構成法
- 高感度電流形センス回路
- 0.5μm高速ROMマクロセル