1V動作ステップダウン昇圧ワード線方式
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概要
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低電圧SRAMのアクセス時間の短縮にはワード線を昇圧する方法が有効であるが、メモリセルの消費電流が増大するという問題がある。この度、消費電力の増大を抑えながら高速化を図れるステップダウン昇圧ワード線方式を考案し、1V動作1MbSRAMに適用した結果良好な特性を得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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