1V動作SRAMにおける書込み時の消費電力低減法
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概要
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我々は10トランジスタ構成のメモリセルを用いることにより電源電圧1Vで高速動作が可能なSRAMマクロセルを報告した。本構成ではビット線の寄生容量が30%程度増大するので、特に書込み時の低消費電力化が重要である。これを目的として1V SRAMの回路構成を検討し、試作した結果良好な特性を得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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