1V動作電荷再利用形入出力バッファ
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概要
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電源電圧を下げることは微細化と並んでLSIの消費電力を低減する上で劇的な効果がある。これは入出力バッファにおいても例外ではないが、実装上の制約から出力バッファは300〜100pFの負荷を駆動する必要があり、低電圧領域では相対的に消費電力が増大する。スタティックな消費電力のないCMOSインタフェースの入出力バッファについて低電力化の検討を行い、1V動作SRAMに適用した結果、所定の動作を確認できたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
柴田 信太郎
NTT LSI研究所
-
柴田 信太郎
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
渡辺 まゆみ
Nttマイクロシステムインテグレーション
-
森村 浩季
Ntt入出力システム研究所
-
渡辺 まゆみ
NTT LSI研究所
-
森村 浩季
NTT LSI研究所
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