柴田 信太郎 | NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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概要
関連著者
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柴田 信太郎
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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柴田 信太郎
Nttマイクロシステムインテグ レーション研究所
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渡辺 まゆみ
Nttマイクロシステムインテグレーション
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柴田 信太郎
Nttマイクロシステムインテグレーション
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柴田 信太郎
NTT LSI研究所
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石原 隆子
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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栗田 茂弘
NTTエレクトロニクス
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道関 隆国
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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道関 隆国
Ntt マイクロシステムインテグレーション研
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道関 隆国
Ntt
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渡辺 まゆみ
NTT LSI研究所
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沖山 秀臣
NTTエレクトロニクス
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品川 満
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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森村 浩季
Ntt入出力システム研究所
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品川 満
法政大学
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島村 俊重
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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川野 龍介
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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渡辺 まゆみ
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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石原 隆子
NTT LSI研究所
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柴田 信太郎
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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森村 浩季
NTT LSI研究所
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木屋 洋
NTTエレクトロニクス
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森村 浩季
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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多氣 昌生
東京都立大学大学院
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藤原 昭英
首都大学東京
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古谷 彰教
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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佐々木 愛一郎
日本電信電話(株)NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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美濃谷 直志
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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佐々木 愛一郎
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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佐藤 康博
Ntt システムエレクトロニクス研究所
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服部 光男
Nttアドバンステクノロジ(株)
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新井 武男
Nttエレクトロニクス
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三ツ井 晴二
NTTエレクトロニクス
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所 順司
NTTエレクトロニクス
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小峰 行雄
NTT システムエレクトロニクス研究所
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柴田 信太郎
NTT システムエレクトロニクス研究所
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渡辺 まゆみ
NTT システムエレクトロニクス研究所
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石原 隆子
NTT システムエレクトロニクス研究所
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多氣 昌生
首都大学東京
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藤岡 順一
Njk
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柴田 信太郎
NTT東日本
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渡辺 まゆみ
NTT通信エネルギー研究所
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石原 隆子
NTT通信エネルギー研究所
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伊郷 翔太
首都大学東京
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佐々木 愛一郎
Nttマイクロシステムインテグレーション
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品川 満
法政大学理工学部
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美濃谷 直志
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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後藤 義徳
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
著作論文
- B-5-113 電界通信用送受信モジュールの開発(B-5. 無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- 社会インフラ化を目指すネットワーク技術「レッドタクトン(RedTacton)」 (特集 新ビジネス創出への取り組み)
- 1GHz級動作サブ0.5V差動型ED-CMOS/SOI回路技術(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 1GHz級動作サブ0.5V差動型ED-CMOS/SOI回路技術
- C-12-42 極低電圧動作256Kb MTCMOS/SOI ROM(C-12.集積回路D(メモリ),エレクトロニクス2)
- C-12-9 極低電圧マイクロプロセッサコア用MTCMOS技術(C-12.集積回路B(ディジタル))
- C-12-25 極低電圧 MTCMOS SRAM 用書込み回路
- 1.5nsアクセス時間0.25μm CMOS/SIMOX SRAMマクロセル : デュアルワード線による高速化と低電力化(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- C-12-77 面積8.64μm^2の0.3μmCMOS/SIMOX SRAMセル
- MTCMOSメモリにおける書込み回路の一構成法
- 1V動作電荷再利用形入出力バッファ
- 1Vバッテリ動作1MbSRAM
- 1.5nsアクセス時間0.25μm CMOS/SIMOX SRAMマクロセル : デュアルワード線による高速化と低電力化
- C-12-30 同期形低電力2ポートSRAM
- 同期形高速SRAMマクロセルの性能評価法 : テストチップの設計とLSIテスタによる評価
- LSIテスタによる高速メモリマクロセルの一試験法
- 電流センス形マルチ電源SRAM用書込み回路 : 分割ビット線による書込み動作の低消費電力化(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- ビットスライス方式によるグレイ符号カウンタの一構成法
- 先見ビット線プルアップ方式による低電力FIFOメモリ
- 疑似GND線方式による低電力SRAMマクロセル
- 低電力周期型RAMマクロセル
- C-11-6 ボディタイ付き低待機電力CMOS/SOI SRAMセル(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
- BI-3-5 人体近傍電界通信における外来電磁波の受信特性に関する検討(BI-3. 人体周辺で使用する無線システムのEMC問題,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-12-41 低ソフトエラー高速マルチ閾値CMOS/SOI SRAMセル(C-12.集積回路D(メモリ),一般講演)
- B-1-19 雑音を考慮した人体近傍電界通信モデルの提案とSNR解析(B-1.アンテナ・伝播A(電波伝搬,非通信利用),一般セッション)
- C-12-47 メモリの構成容易なCMOSゲートアレーの基本セル(メモリ・素子特性,C-12.集積回路,一般セッション)