低電圧メモリにおける電流形センス回路の構成法
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概要
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電流形センス回路の動作原理と低電圧MOSメモリにおける設計法について述べた。ROMとSRAMへの応用を意識して、それぞれセンス回路の基本構成を示した。センス回路の出力振幅を稼ぐ目的でROMでは参照電圧を動的に変化させる手法、SRAMではMOSTの交差接続を用いた。また低電圧SRAMにおける具体的なセンス回路構成として、電流形センス回路とインバータ形の主増幅回路を組み合わせた二段構成を提案した。電流形センス回路の性能を把握する目的で、3.3V0.5μmCMOSプロセスを用いてSRAMマクロセルを試作した。MOSTの閾値電圧から決まる動作限界は1.2Vであり、実測の結果1.3Vでアドレスアクセス時間42.5nsを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-25
著者
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