低電圧SRAM用高感度ラッチ形センス回路
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概要
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1V近傍の低電圧で動作するSRAMでは、メモリセルの動作マージンを十分に確保する必要性からビット線のレベルを電源電圧近傍に設定する。このレベルの信号検出に用いるラッチ形センス回路について高感度化の検討を行い、しきい値電圧のばらつきを含めてその特性をシミュレーションにより解析したので結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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