SDLM法閾値電圧定義の検証
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概要
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先の報告でMOSFET閾値電圧定義として、Δ^2[log(ids)]/Δ(V_g)^2極小法(the Second Difference of the Logarithm of drain current Minimum Method:SDLM法)を提案した。今回は、SDLM法で抽出した閾値電圧時のドリフト電流と拡散電流の比率を2D-device simulatorを用いて求め、その電圧が電流構成成分の変遷電圧であることを検証し、従来方法により抽出した閾値電圧時の電流構成成分比率と比較した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
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