ドレイン電流成分に基づくMOSFET閾値電圧抽出

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概要

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MOSFETの閾値電圧を抽出する方法としてSDLM法を提案する。SDLM法とはドレイン電流の対数値の2階差分値が最小になるゲート電圧を閾値電圧として抽出する方法である。デバイスシミュレーションによりLDD-NMOSFETとBuried channel PMOSFETの電流電圧特性を計算し、従来方法により抽出された閾値電圧とSDLM法により抽出された閾値電圧の比較を行い、SDLM法の有効性を明確にした。更に、SDLM法により抽出される閾値電圧はチャネル内平均拡散電流と平均ドリフト電流の差が最大になるゲート電圧にほぼ一致し、この電圧は両成分が等しくなるゲート電圧よりも小さいことを示した。また、実デバイスにもこの方法が適用できることを示した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-14

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