選択W-CVDプロセスを導入した完全空乏型極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイLSI
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概要
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LSIの高密度化には、ソース/ドレイン(S/D)領域のコンタクトを多数個配置するマルチコンタクト方式に比べて、コンタクトを一個配置とするシングルコンタクト方式が有利である。完全空乏型(FD)極薄膜CMOS/SIMOXにおいて、デバイス性能を劣化させずにシングルコンタクト方式を実現するためには、5Ω/sq.以下のS/D領域のシート抵抗が目標となる。この目標値を実現するために、我々はSi消費量の少ない選択W-CVD技術を開発した。本技術をゲート長0.25-μmのFD-CMOS/SIMOXで構成されるゲートアレイLSIに適用した。マルチコンタクト方式で構成したLSIと比較して、シングルコンタクト方式で構成したLSIの歩留りおよび速度性能は同等であり、選択W-CVD技術がFD-CMOS/SIMOX LSIの高密度化に有望な技術であることを実証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-19
著者
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 康博
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
佐藤 康博
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
-
石井 仁
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
門 勇一
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
佐藤 康博
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
小杉 敏彦
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
土屋 敏章
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
大野 晃計
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
石井 仁
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 和好
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
石井 仁
日本電信電話株式会社:豊橋技術科学大学
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