128×128ポート3D-MEMS光スイッチモジュールの光接続特性(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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概要
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ポート数128の3D-MEMS光スイッチコアモジュールを試作し,光パス接続特性を評価した.本コアモジュールの光学系は,光入出力ポートとして用いる一対のコリメータアレイの間に一対のMEMSミラーアレイを対向させて配置したZ型の構成を有する.開発した128ポートコリメータアレイのビーム出射角度誤差は<0.065°と極めて小さく,コリメートビームの出射角度誤差に起因するMEMSミラー上でのケラレ損失をアレイ全領域で抑制する効果を示した.試作コアモジュールの全パスにおける光接続特性は,挿入損失<2.0dB,波長依存損失<0.5dB(波長範囲1510〜1610mm),偏波依存損失<0.2dBであり,良好な光学特性を有することを確認した.
- 2011-01-20
著者
-
阪田 知巳
日本電信電話
-
下山 展弘
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
佐藤 康博
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
水上 雅人
日本電信電話(株)nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
下山 展弘
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
根本 成
日本電信電話(株)NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
佐藤 康博
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
-
山口 城治
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河尻 祐子
日本電信電話株式会社
-
山口 城治
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
河尻 祐子
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
河尻 祐子
NTT 通信エネルギー研究所
-
阪田 知巳
日本電信電話株式会社
-
水上 雅人
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
下山 展弘
日本電信電話株式会社
-
山口 城治
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
-
山口 城治
日本電信電話株式会社
-
山口 城治
日本電信電話(株)
-
内山 真吾
日本電信電話株式会社
-
佐藤 康博
日本電信電話株式会社
-
河尻 祐子
日本電信電話(株)nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
水上 雅人
日本電信電話 (株) マイクロシステムインテグレーション研究所
-
山口 城治
日本電信電話 (株) マイクロシステムインテグレーション研究所
-
内山 真吾
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
-
河尻 祐子
日本電信電話 (株) マイクロシステムインテグレーション研究所
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