3D-MEMS光スイッチモジュールのスイッチング特性(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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概要
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低消費電力で高密度実装が可能な128×128ポート3D-MEMS光スイッチを試作し、スイッチ時の特性評価を行った。3D-MEMS光スイッチは環境温度変化等により、光ビームの偏向素子であるMEMSミラーの角度調整が必要となる。本報告の光スイッチは、スイッチング動作時に出力光パワーを用いて、高速かつ高精度に光パワーを最適化するフィードバック制御を実装した。フィードバック制御パラメータは、ミラーの非線形な電圧角度特性を考慮した最適化手法を用いて決定した。このフィードバックアルゴリズムを光スイッチに実装してスイッチ時間の測定を行った結果、全てのパスで50ms以内を実現した。
- 2011-01-20
著者
-
水上 雅人
日本電信電話(株)nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
根本 成
日本電信電話(株)NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山口 城治
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河尻 祐子
日本電信電話株式会社
-
山口 城治
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
河尻 祐子
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
河尻 祐子
NTT 通信エネルギー研究所
-
水上 雅人
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山口 城治
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
-
山口 城治
日本電信電話株式会社
-
山口 城治
日本電信電話(株)
-
河尻 祐子
日本電信電話(株)nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
水上 雅人
日本電信電話 (株) マイクロシステムインテグレーション研究所
-
山口 城治
日本電信電話 (株) マイクロシステムインテグレーション研究所
-
河尻 祐子
日本電信電話 (株) マイクロシステムインテグレーション研究所
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