波長選択スイッチにおける電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本稿は波長選択スイッチ(WSS)における電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製に関する報告である.ミラーチップに関しては,ミラーを有機樹脂膜で被覆することによって,100%歩留まりで作製することを実現している.電極チップに関しては,厚膜多層配線技術を用いることによって,狭小空間に高アスペクト比の電気干渉壁を形成している.また,シールドキャップに関しては,Si(111)面の異方性エッチングによりSiのV溝を形成している.電極チップの電気干渉壁とシールドキャップの電界分離効果によって,各ミラーは電気干渉を受けることなく動作することを確認している.
- 2010-08-19
著者
-
佐藤 康博
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
松浦 徹
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
-
阪田 知巳
日本電信電話
-
内山 真吾
日本電信電話株式会社 Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
石井 仁
日本電信電話株式会社 NTT通信エネルギー研究所
-
下山 展弘
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
佐藤 康博
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
碓氷 光男
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
-
下山 展弘
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
下川 房男
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
佐藤 康博
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
-
石井 仁
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
碓氷 光男
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
碓氷 光男
NTT境界領域研究所
-
碓氷 光男
Ntt マイクロシステムインテグレーション研
-
下川 房男
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
石井 仁
日本電信電話株式会社:豊橋技術科学大学
-
碓氷 光男
日本電信電話株式会社
-
下川 房男
日本電信電話(株)ntt通信エネルギー研究所
-
阪田 知巳
日本電信電話株式会社
-
下山 展弘
日本電信電話株式会社
-
内山 真吾
日本電信電話株式会社
-
碓氷 光男
日本電信電話株式会社 Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
下川 房男
日本電信電話株式会社
-
佐藤 康博
日本電信電話株式会社
-
石井 仁
日本電信電話株式会社
-
松浦 徹
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
碓氷 光男
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
下川 房男
日本電信電話 (株)
-
内山 真吾
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
関連論文
- ミリ波帯光・電子デバイスとその無線・センシングシステムへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 凹面ミラーを用いた512×512ポート3D-MEMS光スイッチモジュール(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 第25回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
- 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- C-3-42 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[IV] : ポリイミドWDMを用いたスケーラブルネットワーク(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-40 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[II] : 全フッ素化ポリイミドを用いた光導波路とCWDMへの適用(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-39 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[I] : 光学用ポリイミド基板と光導波路への適用(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
- KTN結晶導波路を用いた高効率位相変調器
- KTN結晶導波路を用いた高効率位相変調器(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- 感光性樹脂を用いたCuダマシンプロセスによるオンチップ厚膜配線
- 光学用ポリイミド基板を用いた光導波路の作製と特性(光機能有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- C-12-70 生体検知機能内蔵指紋センサLSIのためのインピーダンス検出手法の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- 集積化CMOS-MEMS技術とその応用(配線・実装技術と関連材料技術)
- 集積化CMOS-MEMS技術
- 集積化CMOS-MEMS技術とその応用
- 有機薄膜の電着によるMEMSデバイスのスティッキング防止
- シームレスインテグレーション技術とその応用(MEMSパッケージングへ高まる期待)
- シームレスインテグレーション技術とその応用
- C-14-25 Si基板上に3次元集積した低損失ミリ波コプレーナ伝送線路
- C-3-82 二軸回転可能な狭ピッチMEMSミラーアレイ(3) : 電気干渉低減構造のモノリシック化(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 波長選択スイッチ(WSS)用MEMSミラーアレイモジュール(光部品の実装・信頼性,一般)
- 波長選択スイッチ(WSS)用MEMSミラーアレイモジュール(光部品の実装・信頼性,一般)
- 波長選択スイッチ(WSS)用MEMSミラーアレイモジュール(光部品の実装・信頼性,一般)
- C-3-62 空間光学系MEMSスイッチの二軸同調制御法(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-63 二軸回転可能な狭ピッチMEMSミラーアレイ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-14-1 屋外伝送実験に向けた120 GHz帯ミリ波無線の開発(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- 120GHz帯ミリ波無線技術とHD非圧縮多重伝送への適用
- R&Dホットコーナー 非圧縮ハイビジョン信号多重無線伝送技術
- B-1-230 到来方向推定を用いた高精度位置推定手法の検討(B-1. アンテナ・伝播C(アンテナシステム), 通信1)
- B-6-53 遠隔地の実オブジェクトに触る Stick-on Communicator (StiC)
- MEMSデバイスのスティッキング防止のための有機薄膜電着技術 (マテリアルフォーカス:エレクトロニクス 2か月連続特集 10億台「買い替え」市場への可能性 携帯電話の「小型・軽量化と多機能化」に貢献するMEMSのこれから(1)材料・加工編)
- 集積化RF-MEMSとその実装技術(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術,テスト技術,一般)
- 集積化RF-MEMSとその実装技術(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術,テスト技術,一般)
- マルチバンドRF回路用集積化RF MEMS技術(マイクロ波超伝導/一般)
- 容量型指紋センサLSIでの偽造指による不正の検知に向けたインピーダンス検出手法
- 波長選択スイッチにおける電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長選択スイッチにおける電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長選択スイッチにおける電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長選択スイッチにおける電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 凹面ミラーを用いた512×512ポート3D-MEMS光スイッチモジュール(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 凹面ミラーを用いた512×512ポート3D-MEMS光スイッチモジュール(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- マルチバンドRF回路用集積化RF MEMS技術(マイクロ波超伝導/一般)
- シリコン細線導波路システム : 基本特性と機能デバイスへの応用(導波路型光デバイス論文)
- 薄膜メンブレン上の微細パタン形成技術(最先端薄膜技術)
- ユビキタスサービスに向けたMEMSデバイス技術 (特集 MEMSデバイス技術)
- マイクロ波フォトニクス集積デバイス技術 (特集論文2 マイクロ波フォトニクス技術の通信・計測への応用)
- 感光性樹脂を用いたCuダマシンプロセスによるオンチップ厚膜配線
- オンチップ高周波受動素子プロセス技術 (特集論文1 システムデバイス実現のためのシームレスインテグレーション技術)
- 高性能ミリ波伝送線のSi上への集積化技術 (特集論文1 システムデバイス実現のためのシームレスインテグレーション技術)
- 異種機能融合化技術の研究動向 (特集論文1 システムデバイス実現のためのシームレスインテグレーション技術)
- 選択W-CVDプロセスを導入した完全空乏型極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイLSI
- KTN結晶導波路を用いた高効率位相変調器(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- KTN結晶導波路を用いた高効率位相変調器(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- KTN結晶導波路を用いた高効率位相変調器(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- C-3-78 MEMSミラーを用いた1x43ポート波長選択スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-81 動的クロストークを低減したMEMS型波長選択スイッチ(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-18 ニ軸回転可能な狭ピッチMEMSミラーアレイ(2) : 隣接チャネル間電気干渉の低減(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-19 WSS用MEMSミラーの曲線制御法によるRabbit Earの抑制(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ポリマー光導波路の形成とそのデバイス特性
- 光学用ポリイミド基板を用いた光導波路の作製と特性(光機能有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- BP-4-5 MEMSミラー型波長選択光スイッチ技術(BP-4.フォトニックネットワークの将来技術と展望,パネルセッション,ソサイエティ企画)
- C-3-54 高分散Immersion Gratingの偏波無依存化の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ユビキタスサービス社会を支えるMEMSデバイス技術 (特集 未来を変えるMEMS技術)
- 極薄膜MOSFET/SIMOXのソース・ドレイン上に形成したW層の寄生バイポーラ効果への影響
- ソース/ドレイン上に選択W層を形成した1/4ミクロン級極薄膜MOSFET/SIMOXの特性
- 水素パッシベーションによるp^+-SiのHF処理特性改善とそのW選択成長への応用
- アレーベア光ファイバーの一括端面加工
- 全フッ素化ポリイミドを用いた光導波路の作製と特性(光機能有機材料・デバイス, 光非線形現象, 一般)
- 全フッ素化ポリイミドを用いた光導波路の作製と特性(光機能有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- 凹面ミラーを用いた512×512ポート3D-MEMS光スイッチモジュール
- X線リソグラフィによるサブ1/4μmLSI試作
- C-3-61 波長選択スイッチのミラー制御による温度依存損失の抑圧(光スイッチ・光変調器(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 光スイッチ用MEMSチルトミラーアレイ (特集 MEMSデバイス技術)
- C-3-90 V溝を一体化した樹脂製凹面マイクロミラー合分波器(3) : モジュール構造(パッシブデバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-89 V溝を一体化した樹脂製凹面マイクロミラー合分波器(2) : 光学系(パッシブデバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-88 V溝を一体化した樹脂製凹面マイクロミラー合分波器(1) : 構成概要(パッシブデバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- ふっ素化ポリイミドによる形状異方性マイクロ物体の作製と光圧回転特性
- C-2-3 フォトニクス技術を用いた120 GHzミリ波エミッタの設計と評価
- 熱毛管型光導波路スイッチの開発(1999年度(第19回)精密工学会技術賞)
- エネルギービーム(イオン, 中性粒子)と固体表面との相互作用 : 表面での物理/化学現象に着目して(ナノメータスケールの加工技術-加工界面での化学/物理反応に着目して)
- 128×128ポート3D-MEMS光スイッチモジュールの光接続特性
- 128×128ポート3D-MEMS光スイッチモジュールの光接続特性(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 128×128ポート3D-MEMS光スイッチモジュールの光接続特性(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 128×128ポート3D-MEMS光スイッチモジュールの光接続特性(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- MEMSミラーを用いた波長選択スイッチの特性制御(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMSミラーを用いた波長選択スイッチの特性制御(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMSミラーを用いた波長選択スイッチの特性制御(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMSミラーを用いた波長選択スイッチの特性制御(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 4-6 120GHz帯無線技術の放送業務導入のための考察(第4部門 無線・光伝送)
- 隣接チャネル間電気干渉を抑制可能な波長選択スイッチ(WSS)用MEMSミラーアレイ
- C-3-19 波長選択クロスコネクト応用に向けた低電圧駆動MEMSミラー(光スイッチ(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 隣接チャネル間電気干渉を抑制可能な波長選択スイッチ(WSS)用MEMSミラーアレイ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 隣接チャネル間電気干渉を抑制可能な波長選択スイッチ(WSS)用MEMSミラーアレイ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 隣接チャネル間電気干渉を抑制可能な波長選択スイッチ(WSS)用MEMSミラーアレイ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 隣接チャネル間電気干渉を抑制可能な波長選択スイッチ(WSS)用MEMSミラーアレイ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-5-7 フィジカルエージングによるMEMSミラーの角度変動とその抑制(C-5.機構デバイス,一般セッション)
- C-5-10 MEMS型空間光学系光スイッチの耐振動信頼性に関する検討(C-5.機構デバイス)
- 隣接チャネル間電気干渉を抑制可能な波長選択スイッチ(WSS)用MEMSミラーアレイ
- 隣接チャネル問電気干渉を抑制可能な波長選択スイッチ(WSS)用MEMSミラーアレイ
- 隣接チャネル問電気干渉を抑制可能な波長選択スイッチ(WSS)用MEMSミラーアレイ