ソース/ドレイン上に選択W層を形成した1/4ミクロン級極薄膜MOSFET/SIMOXの特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
完全空乏型動作が可能な極薄膜CMOS/SOIは、バルクCMOSにない優れた電気的特性を有しており、次世代の超高速・低パワーULSIの構成素子として大きな期待を集めている。しかし、極薄膜CMOS/SOIでLSIを実現するにあたっては解決すべき課題がある。そのうちの一つとしてソース/ドレインのシート抵抗の低減があげられる。極薄膜SOIデバイスのソース/ドレインシート抵抗の低減のため、われわれはSi消費量の少ないW選択CVDプロセスの開発をすすめてきた。本稿では、W選択CVDプロセスを実際に1/4ミクロン級極薄膜MOSFET/SIMOXに適用した結果を示す。ソース/ドレイン上のW層の堆積により、デバイス特性の劣化を生じることなく、NMOS、PMOSともにソース/ドレインのシート抵抗を低減できる。さらに、NMOSにおいてはソース/ドレイン上にW層を堆積することにより、寄生バイポーラ効果が低減できることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 康博
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
土屋 敏章
NTT LSI研究所
-
佐藤 康博
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
-
石井 仁
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
石井 仁
NTT LSI研究所
-
佐藤 康博
NTT LSI研究所
-
小杉 敏彦
NTT LSI研究所
-
石井 仁
日本電信電話株式会社:豊橋技術科学大学
関連論文
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器(集積エレクトロニクス)
- ミリ波帯光・電子デバイスとその無線・センシングシステムへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ : 120GHz帯広帯域無線の実用化へ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 120GHz帯10Gbti/s無線伝送用BPSK変復調MMIC(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 感光性樹脂を用いたCuダマシンプロセスによるオンチップ厚膜配線
- C-2-20 120GHz帯10Gbit/sデータ伝送用低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-95 HEMT MMICを使用した120GHz帯ミリ波無線による10Gbit/sデータ伝送(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- C-10-16 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック分周器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-18 130GHz帯アンテナ一体型ミリ波イメージングMMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-2-7 F帯ミリ波無線受信機用チューナブルフィルタ(CS-2.可変マイクロ波回路,シンポジウム)
- C-14-16 120GHz帯ミリ波無線の伝送特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- R&Dホットコーナー 120GHz帯無線データ通信へ向けたミリ波集積回路技術
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信
- 集積化CMOS-MEMS技術とその応用(配線・実装技術と関連材料技術)
- 完全空乏型CMOS/SIMOX素子の低電圧・低消費電力型VLSI構成要素としての優位性
- C-2-26 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-134 120 GHz帯ミリ波無線の降雨減衰特性(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- CI-1-6 120GHz帯無線リンクとモジュール技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-2-85 120GHz帯無線の偏波多重通信に向けた基礎検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-3-82 二軸回転可能な狭ピッチMEMSミラーアレイ(3) : 電気干渉低減構造のモノリシック化(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- CS-11-2 ミリ波・テラヘルツ波無線通信の最近の動向(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- C-14-1 屋外伝送実験に向けた120 GHz帯ミリ波無線の開発(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- 120GHz帯ミリ波無線技術とHD非圧縮多重伝送への適用
- R&Dホットコーナー 非圧縮ハイビジョン信号多重無線伝送技術
- B-1-230 到来方向推定を用いた高精度位置推定手法の検討(B-1. アンテナ・伝播C(アンテナシステム), 通信1)
- B-6-53 遠隔地の実オブジェクトに触る Stick-on Communicator (StiC)
- C-2-53 イメージング用120GHz帯モノリシック集積型アンテナアレー(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- C-2-25 デバイスレベル負帰還回路を用いたマイクロ波帯低歪みパワーFET
- B-5-255 高出力増幅器におけるOFDM変調波入力時の歪特性とIM3/IM5の相関に関する一検討
- 0.1μmゲートInP HEMTによるミリ波アクティブ集積アンテナ発振回路(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CS-10-3 ミリ波応用に向けたInP HEMT技術(CS-10.ミリ波・サブミリ波信号検出技術の現状と展開,シンポジウム)
- タングステンをオーミック電極に用いた新たな横方向微細化技術によるInP系HEMTの特性向上
- C-10-12 0.1μmゲートInP系HEMTによる111GHzアクティブ集積アンテナ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 完全空乏型MOSFET/SIMOXの基板浮遊効果抑制策と信頼性
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- マルチバンドRF回路用集積化RF MEMS技術(マイクロ波超伝導/一般)
- 波長選択スイッチにおける電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長選択スイッチにおける電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長選択スイッチにおける電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長選択スイッチにおける電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- CS-3-2 140GHz帯ミリ波イメージング装置(CS-3.環境・エネルギー分野の発展に貢献するマイクロ波技術,シンポジウムセッション)
- マルチバンドRF回路用集積化RF MEMS技術(マイクロ波超伝導/一般)
- Arイオン注入による極薄膜nMOSFETs/SIMOXにおける寄生バイポーラ効果の抑制
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 選択W-CVDプロセスを導入した完全空乏型極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイLSI
- C-3-78 MEMSミラーを用いた1x43ポート波長選択スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- B-5-124 120GHz帯無線による10Gbit/sデータの5km伝送(B-5.無線通信システムB(無線アクセスネットワーク),一般セッション)
- BP-4-5 MEMSミラー型波長選択光スイッチ技術(BP-4.フォトニックネットワークの将来技術と展望,パネルセッション,ソサイエティ企画)
- 0.25μm CMOS/SIMOXゲートアレイLSI
- 0.5V MTCMOS/SlMOX回路
- 0.5V動作MTCMOS/SIMOX回路
- C-3-54 高分散Immersion Gratingの偏波無依存化の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ユビキタスサービス社会を支えるMEMSデバイス技術 (特集 未来を変えるMEMS技術)
- 極薄膜MOSFET/SIMOXのソース・ドレイン上に形成したW層の寄生バイポーラ効果への影響
- ソース/ドレイン上に選択W層を形成した1/4ミクロン級極薄膜MOSFET/SIMOXの特性
- 水素パッシベーションによるp^+-SiのHF処理特性改善とそのW選択成長への応用
- 1/4μm完全空乏型CMOS/SIMOX・LSIとバルク・LSIの比較 : 論理ゲート遅延及び寄生容量の電源電圧依存性
- 1/4・ミクロンゲート極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイのダイナミック性能と消費電流特性
- SOI MOSFET : 低消費電力・高速向け将来デバイス
- 3GHz CMOS MUX/DEMUX回路
- C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
- C-14-6 InP HEMTミリ波発振器からの60GHz帯信号の光による変調(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-2-83 120GHz帯無線リンク用10Gbit/s QPSK変復調モジュール(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- CS-8-1 超100GHz InP HEMT回路(CS-8.超100ギガ・デバイスおよびシステム技術の将来展望,シンポジウムセッション)
- 水素パッシベーション法によるW-選択CVD技術と浅接合コンタクト形成への応用
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 100GHzミリ波アナログMMIC技術 : ミリ波分光, ミリ波データ通信, ミリ波イメージング装置等へ向けて(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 100GHzミリ波アナログMMIC技術 : ミリ波分光, ミリ波データ通信, ミリ波イメージング装置等へ向けて
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス 周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- B-5-140 OFDM変調波入力時のパワーアンプ歪の改善に関する一検討 : 2-Tone入力時の相互変調歪補償との相関
- C-10-9 W帯ギルバートセルミクサ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-14-11 10 ギガビット無線リンク用高指向性フォトニックエミッタ
- CP-1-3 120GHz帯10-Gbit/sミリ波無線通信装置(CP-1. ギガビットワイヤレス通信技術の今後を考える,パネルセッション,ソサエティ企画)
- 128×128ポート3D-MEMS光スイッチモジュールの光接続特性
- 128×128ポート3D-MEMS光スイッチモジュールの光接続特性(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 128×128ポート3D-MEMS光スイッチモジュールの光接続特性(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 128×128ポート3D-MEMS光スイッチモジュールの光接続特性(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- C-2-98 140GHz帯ミリ波イメージング装置の冬季屋外試験(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置,一般セッション)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-14 分布ミキサにおける方向性結合作用を用いたローカルリーク抑制法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- F帯方形導波管の気密封止構造
- 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ : 小型パッシブイメージングシステムへ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 4-6 120GHz帯無線技術の放送業務導入のための考察(第4部門 無線・光伝送)
- 光技術及び電子回路技術を使用した屋外用120GHz帯無線技術