1/4μm完全空乏型CMOS/SIMOX・LSIとバルク・LSIの比較 : 論理ゲート遅延及び寄生容量の電源電圧依存性
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概要
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完全空乏型SOI素子(FD-SOI素子)技術は低電圧・低消費電力LSIの本命技術の一つとして注目されている。特に、素子の接合容量の低減、急峻なサブスレッショルドスロープ、寄生バイポーラ効果の抑制等の観点から、FD-SOI素子は低電圧領域でその真価を発揮すると考えられる。今回、同じマスクセットを用いて1/4-ミクロン級のFD型CMOS/SIMOXゲート・アレイとバルクCMOSゲート・アレイを試作し、搭載した負荷付き論理ゲート遅延要因と各種寄生容量の電源電圧依存性を比較した。本講演ではこの結果と低電圧動作の観点から、FD型CMOS/SIMOXプロセスが特に有効性を発揮し得る応用分野について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
井野 正行
Nttエレクトロニクステクノロジー
-
酒井 徹志
NTT LSI研究所
-
門 勇一
NTT LSI研究所
-
猪川 洋
NTT LSI研究所
-
土屋 敏章
NTT LSI研究所
-
西村 和好
NTT LSI研究所
-
井野 正行
NTT LSI研究所
-
岡崎 幸夫
Ntt Lsi研究所
-
門 勇一
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
大野 晃計
NTT LSI研究所
-
大野 晃計
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 和好
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
武谷 健
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
武谷 健
NTT LSI研究所
-
西村 和好
Ntt Lsi研
-
大野 晃計
Ntt Lsi研
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