大野 晃計 | NTT LSI研究所

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概要

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関連著者

• 土屋 敏章

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• 大野 晃計

  NTT LSI研究所

• 大野 晃計

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 大野 晃計

  Ntt Lsi研

• 門 勇一

  NTT LSI研究所

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  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 榊原 裕

  通信・放送機構兵庫リサーチセンタ

• 榊原 裕

  Ntt Lsi研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 井野 正行

  Nttエレクトロニクステクノロジー

• 田沢 聰

  Nttグループ企業本部

• 田沢 聰

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• 酒井 徹志

  NTT LSI研究所

• 佐藤 康博

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 猪川 洋

  NTT LSI研究所

• 西村 和好

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• 岡崎 幸夫

  Ntt Lsi研究所

• 富沢 雅彰

  Ntt Lsi研究所

• 富沢 雅彰

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 佐藤 康博

  日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所

• 石井 仁

  日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 大高 明浩

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• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 山本 栄一

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• 西村 和好

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• 武谷 健

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 佐藤 康博

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• 小杉 敏彦

  NTT LSI研究所

• 武谷 健

  NTT LSI研究所

• 石井 仁

  日本電信電話株式会社:豊橋技術科学大学

• 河合 義夫

  日本電信電話(株)lsi研究所

• 西村 和好

  Ntt Lsi研

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著作論文

• 完全空乏型MOSFET/SIMOXの基板浮遊効果抑制策と信頼性
• Arイオン注入による極薄膜nMOSFETs/SIMOXにおける寄生バイポーラ効果の抑制
• 極薄膜MOSFET/SIMOXのソース・ドレイン上に形成したW層の寄生バイポーラ効果への影響
• 1/4μm完全空乏型CMOS/SIMOX・LSIとバルク・LSIの比較 : 論理ゲート遅延及び寄生容量の電源電圧依存性
• 1/4・ミクロンゲート極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイのダイナミック性能と消費電流特性
• 完全空乏型CMOS/SIMOXインバータ回路における消費電流のダイナミック特性

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