大野 晃計 | NTT LSI研究所
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概要
関連著者
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土屋 敏章
NTT LSI研究所
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大野 晃計
NTT LSI研究所
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大野 晃計
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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大野 晃計
Ntt Lsi研
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門 勇一
NTT LSI研究所
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門 勇一
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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榊原 裕
通信・放送機構兵庫リサーチセンタ
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榊原 裕
Ntt Lsi研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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井野 正行
Nttエレクトロニクステクノロジー
著作論文
- 完全空乏型MOSFET/SIMOXの基板浮遊効果抑制策と信頼性
- Arイオン注入による極薄膜nMOSFETs/SIMOXにおける寄生バイポーラ効果の抑制
- 極薄膜MOSFET/SIMOXのソース・ドレイン上に形成したW層の寄生バイポーラ効果への影響
- 1/4μm完全空乏型CMOS/SIMOX・LSIとバルク・LSIの比較 : 論理ゲート遅延及び寄生容量の電源電圧依存性
- 1/4・ミクロンゲート極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイのダイナミック性能と消費電流特性
- 完全空乏型CMOS/SIMOXインバータ回路における消費電流のダイナミック特性