富沢 雅彰 | Ntt Lsi研究所
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概要
関連著者
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富沢 雅彰
Ntt Lsi研究所
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吉井 彰
Ntt Lsi研究所
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横山 清行
Ntt
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田沢 聰
Nttグループ企業本部
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田沢 聰
Ntt Lsi研究所
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富沢 雅彰
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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横山 清行
Ntt光エレクトロニクス研究所
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榎木 孝知
Ntt Lsi研究所
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山本 真史
Nttlsi研究所
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土屋 敏章
NTT LSI研究所
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
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中田 俊司
Ntt Lsi研究所
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水谷 孝
NTT LSI研究所
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中田 俊司
NTTLSI研究所
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活田 健治
NTTLSI研究所
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水谷 孝
NTTLSI研究所
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富沢 雅彰
NTTLSI研究所
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佐野 伸行
Ntt Lsi研究所
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青山 一生
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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大野 晃計
NTT LSI研究所
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青山 一生
NTT LSI研究所
-
富沢 雅彰
NTT生活環境研究所
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吉井 彰
NTTLSI研究所
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青山 一生
Ntt Lsi 研究所
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大野 晃計
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
吉井 彰
NTT電気通信研究所
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富沢 雅彰
NTT電気通信研究所
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横山 清行
NTT電気通信研究所
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谷山 秀昭
NTT LSI研究所
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山本 真史
Ntt Lsi研
-
大野 晃計
Ntt Lsi研
著作論文
- AlGaAs/GaAs埋め込み量子細線の伝導特性と閉じ込めポテンシャルの解析
- 完全空乏型MOSFET/SIMOXの基板浮遊効果抑制策と信頼性
- ドレイン電流成分に基づくMOSFET閾値電圧抽出
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるキンク現象のデバイスシミュレーション
- 19)粒子シミュレータによる半導体デバイスの解析(〔テレビジョン電子装置研究会(第147回) 画像表示研究会(第113回)〕合同)
- 粒子シミュレータによる半導体デバイスの解析
- AlGaAs/GaAsヘテロ構造デバイスの二次元解析 (半導体デバイスシミュレ-ション小特集)
- SiおよびGaAs MESFETの粒子モデルによるデバイスシミュレ-ション (LSI特集) -- (微細化デバイス)
- 分布モデルによる共鳴トンネルトランジスタの2次元解析
- 半導体デバイスのシミュレ-ション技術
- 半導体デバイス設計における超高速演算 (超高速演算技術への期待)
- 量子効果デバイスシミュレ-ション (超微細半導体シミュレ-ション技術--21世紀へ向けた限界への挑戦) -- (デバイスシミュレ-ション)
- 化合物半導体電子デバイス (電子デバイスのシミュレ-ション技法(技術ノ-ト))