SiおよびGaAs MESFETの粒子モデルによるデバイスシミュレ-ション (LSI特集) -- (微細化デバイス)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- AlGaAs/GaAs埋め込み量子細線の伝導特性と閉じ込めポテンシャルの解析
- 完全空乏型MOSFET/SIMOXの基板浮遊効果抑制策と信頼性
- ドレイン電流成分に基づくMOSFET閾値電圧抽出
- バンド構造を反映したイオン化確率の高精度モデル
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるキンク現象のデバイスシミュレーション
- 27p-B-7 バリスティック量子細線における準束縛状態
- 28a-C-10 量子干渉デバイスの伝導特性
- 19)粒子シミュレータによる半導体デバイスの解析(〔テレビジョン電子装置研究会(第147回) 画像表示研究会(第113回)〕合同)
- 粒子シミュレータによる半導体デバイスの解析
- AlGaAs/GaAsヘテロ構造デバイスの二次元解析 (半導体デバイスシミュレ-ション小特集)
- SiおよびGaAs MESFETの粒子モデルによるデバイスシミュレ-ション (LSI特集) -- (微細化デバイス)
- 分布モデルによる共鳴トンネルトランジスタの2次元解析
- 半導体デバイスのシミュレ-ション技術
- 半導体デバイス設計における超高速演算 (超高速演算技術への期待)
- 28a-L-5 磁場中の量子細線における伝導現象の解析
- 13p-DF-7 量子細線におけるポテンシャル揺らぎの効果
- 半導体素子のモデリングとシミュレーション研究会
- 27a-P-2 バリスティック量子細線における準束縛状態II
- 半導体素子のモデリングとシュミレーション研究会
- 半導体材料・プロセス・デバイス (コンピュ-タが創る材料・分子科学の世界--CAMSE′92ガイド)
- 量子効果デバイスシミュレ-ション (超微細半導体シミュレ-ション技術--21世紀へ向けた限界への挑戦) -- (デバイスシミュレ-ション)
- 化合物半導体電子デバイス (電子デバイスのシミュレ-ション技法(技術ノ-ト))