バンド構造を反映したイオン化確率の高精度モデル
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概要
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半導体の状態密度を用いてイオン化確率を定式化することにより、現実的バンド構造を反映した高精度なイオン化モデルを提案した。このイオン化モデルを用いてSi,GaAs,InAs,In_0.53>Ga_0.47>Asに対してのイオン化確率を求め、Constant Matrix Element近似のもとでの第一原理的イオン化確率との比較を行ない本モデルの有効性を確認した。また高エネルギー領域におけるイオン化確率が、これらの材料に殆ど関係なくほぼ普遍的な値とエネルギー依存性を示すことを見出した。これらの計算結果をもとに、従来のKeldysh公式とその一般化に関しての限界についての検討も行なった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-14
著者
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