InAlAs/InGaAs HEMTにおけるキンク現象のデバイスシミュレーション
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
実効電子温度モデルによる衝突イオン化率とゲート近傍の半導体表面空乏層を考慮した二次元デバイスシミュレーションを用いて、InAlAs, InGaAs HEMTのI-V特性に見られるキンク現象のモデルについて議論する。このモデルにおけるキンク発現要因は、衝突イオン化により生じた正孔の蓄積により、表面空乏化によるソース抵抗増加が緩和されるためであると考える。また、キンクの発現は、ゲートリセスにおけるサイドエッチング量に強く依存し、InAlAs成長条件やバッファ層構造だけでなく、プロセス依存性があることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-14
著者
関連論文
- AlGaAs/GaAs埋め込み量子細線の伝導特性と閉じ込めポテンシャルの解析
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた集積回路技術
- 完全空乏型MOSFET/SIMOXの基板浮遊効果抑制策と信頼性
- ドレイン電流成分に基づくMOSFET閾値電圧抽出
- 低温成長InGaAs/InAlAs MQW MSM-PDにより構成された差動型フォトコンダクティブ・アンドゲート
- バンド構造を反映したイオン化確率の高精度モデル
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるキンク現象のデバイスシミュレーション
- 半導体デバイスにおける非平衡キャリア輸送(「非平衡系の統計物理」研究会(その2),研究会報告)
- 27p-B-7 バリスティック量子細線における準束縛状態
- 28a-C-10 量子干渉デバイスの伝導特性
- InP HEMTによる40Gbit/s MUX/DEMUX モジュール
- Si上ヘテロエピタキシャル成長InAlAs/InGaAs MSM受光素子の作製
- 19)粒子シミュレータによる半導体デバイスの解析(〔テレビジョン電子装置研究会(第147回) 画像表示研究会(第113回)〕合同)
- 粒子シミュレータによる半導体デバイスの解析
- AlGaAs/GaAsヘテロ構造デバイスの二次元解析 (半導体デバイスシミュレ-ション小特集)
- SiおよびGaAs MESFETの粒子モデルによるデバイスシミュレ-ション (LSI特集) -- (微細化デバイス)
- 分布モデルによる共鳴トンネルトランジスタの2次元解析
- 半導体デバイスのシミュレ-ション技術
- 半導体デバイス設計における超高速演算 (超高速演算技術への期待)
- 波形クリップを考慮したときのSCFL分周器動作速度の負荷抵抗依存性
- 超高速ディジタルIC用InP系HEMT
- 多重反射の影響を考慮したSCFLインバータ遅延時間解析
- pn接合レベルシフトダイオードを有する超高速InAlAs/InGaAs HEMT IC
- 超高速InP系ヘテロ構造デバイス技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- 伝播遅延を考慮したInAlAs/InGaAs HEMT SCFLインバータ遅延時間解析
- EOSによるリングオシレータの評価
- 超高周波GaAs MMIC用非対称n+構造SAINT FET (GaAs SAINTによる超高速・超高周波集積回路技術)
- InAlAs/InGaAs/InP HEMT雑音特性のデバイスパラメータ感度解析
- 量子効果デバイスシミュレ-ション (超微細半導体シミュレ-ション技術--21世紀へ向けた限界への挑戦) -- (デバイスシミュレ-ション)
- 化合物半導体電子デバイス (電子デバイスのシミュレ-ション技法(技術ノ-ト))