吉井 彰 | Ntt Lsi研究所
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概要
関連著者
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吉井 彰
Ntt Lsi研究所
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富沢 雅彰
Ntt Lsi研究所
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伊藤 敏洋
NTT LSI研究所
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横山 清行
Ntt
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佐野 伸行
Ntt Lsi研究所
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吉井 彰
NTTLSI研究所
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伊藤 敏洋
NTTLSI研究所
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横山 清行
Ntt光エレクトロニクス研究所
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富沢 雅彰
NTT生活環境研究所
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佐野 伸行
NTTLSI研究所
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吉井 彰
NTT電気通信研究所
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富沢 雅彰
NTT電気通信研究所
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横山 清行
NTT電気通信研究所
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谷山 秀昭
NTT LSI研究所
著作論文
- バンド構造を反映したイオン化確率の高精度モデル
- 27p-B-7 バリスティック量子細線における準束縛状態
- 28a-C-10 量子干渉デバイスの伝導特性
- 19)粒子シミュレータによる半導体デバイスの解析(〔テレビジョン電子装置研究会(第147回) 画像表示研究会(第113回)〕合同)
- 粒子シミュレータによる半導体デバイスの解析
- AlGaAs/GaAsヘテロ構造デバイスの二次元解析 (半導体デバイスシミュレ-ション小特集)
- SiおよびGaAs MESFETの粒子モデルによるデバイスシミュレ-ション (LSI特集) -- (微細化デバイス)
- 分布モデルによる共鳴トンネルトランジスタの2次元解析
- 半導体デバイスのシミュレ-ション技術
- 半導体デバイス設計における超高速演算 (超高速演算技術への期待)
- 28a-L-5 磁場中の量子細線における伝導現象の解析
- 13p-DF-7 量子細線におけるポテンシャル揺らぎの効果
- 半導体素子のモデリングとシミュレーション研究会
- 27a-P-2 バリスティック量子細線における準束縛状態II
- 半導体素子のモデリングとシュミレーション研究会
- 半導体材料・プロセス・デバイス (コンピュ-タが創る材料・分子科学の世界--CAMSE′92ガイド)