AlGaAs/GaAs埋め込み量子細線の伝導特性と閉じ込めポテンシャルの解析

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概要

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横方向にAlGaAs, GaAs界面を持つ埋め込み細線をウエットエッチングとMOCVD再成長により作製した。埋め込み細線の電流が流れなくなる臨界線幅は0.1μm程度であり、エッチングのみの細線と比較し1/3に低減された。またシュブニコフドハース振動のランダウプロットから得られる1次元量子準位間隔の値は2.8meVでありエッチングのみの細線と比較し2倍以上大きな値が得られた。これらの結果は、埋め込み量子細線構造が電子の強い閉じ込めに有効である事を示している。また2次元ポアッソンの方程式をセルフコンシステントに解く事により、埋め込み細線とエッチング細線のポテンシャルプロファイルをそれぞれ計算した。求めたポテンシャルプロファイルより計算した量子準位間隔は実験により求めた値とよく一致する事が示された。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-10-21

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