完全空乏型MOSFET/SIMOXの基板浮遊効果抑制策と信頼性

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概要

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ボディコンタクトを必要としない完全空乏型MOSFET/SIMOXは、特に、クォータミクロン世代以後の低エネルギー高性能LSI実現に向けて極めて魅力的である。しかし、完全空乏型デバイスを実用化するには、基板浮遊効果の一つである寄生バイポーラ効果を抑制することが必須である。本報告では、イオン注入で形成した再結合中心を用いた寄生バイポーラ効果の抑制策を提案し、デバイスシミュレーションを用いてその効果の確認と解析、および有効な再結合中心層の設定法について述べる。また、Arイオン注入を用いた実験からその有効性を実証する。さらに、MOSFET/SOI特有のホットキャリア劣化モードの抑制対策に対しても、この寄生バイポーラ効果抑制策が有効であり、ホットキャリア信頼性の向上が可能なことを示す。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-05-23

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