Arイオン注入による極薄膜nMOSFETs/SIMOXにおける寄生バイポーラ効果の抑制
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概要
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極薄膜CMOS/SOIデバイスは、その優れた電気的特性から、今後の低消費電力・高速LSIの構成素子と注目されている。しかしこのデバイスでLSIを実現するにはまだ解決すべき問題点が残されており、そのひとつがボディ・コンタクトを有しないnMOSFETで生じる寄生バイポーラ効果を如何に抑制するかである。この問題を解決するために、ソース領域の材質及び構造に工夫を凝らす方法がいくつか提案されているが、いずれの場合にもLSI試作に適用してその有用性を確認するには至っていない。本報告では、Ar注入でソース/ドレイン領域内に再結合中心を形成する新規の方法を提案する。またデバイスの特性評価を通してその有用性を実証する。本方法の特長は、プロセスが極めて簡単であることから、LSI試作に容易に導入できることにある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
榊原 裕
通信・放送機構兵庫リサーチセンタ
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榊原 裕
Ntt Lsi研究所
-
土屋 敏章
NTT LSI研究所
-
大高 明浩
NTT LSI研究所
-
大野 晃計
NTT LSI研究所
-
高橋 光俊
NTT LSI研究所
-
大野 晃計
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
大野 晃計
Ntt Lsi研
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