MOSFETテーブルモデルによるデバイスシミュレータと回路シミュレータの連結

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概要

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MOSFETの電流電圧特性、容量電圧特性の数値データを直接回路シミュレータに取り込むことが可能であるテーブルモデルを開発した。デバイスシミュレータから得られた数値データを適用することで、デバイス/回路シミュレーションのテーブルモデルによる連結が可能になる。デバイスシミュレータには電流電圧特性の他に詳細な容量電圧特性を生成する機能を追加した。また、回路シミュレータ中には全動作領域で連続微分可能な三次元三次スプライン関数で構成されるモデルテンプレートを組み込んだ。このテーブルモデルを用いてCMOS回路のDC解析と過渡解析を行い、収束解を得ることに成功した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-10-22

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