1/4・ミクロンゲート極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイのダイナミック性能と消費電流特性
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概要
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0.25μmゲートのCMOS/SIMOXゲートアレイ(1.4μmピッチ)上に搭載したTEG回路を用いて完全空乏型CMOS/SIMOX論理ゲートのダイナミック性能とフローティングボディ効果を検討した。その結果、種々の負荷条件でのCMOS/SIMOX論理ゲートの高速性と低消費電力性が実証された。また、遅延と消費電力の要因分析結果に基づき、CMOS/SIMOX論理LSIの性能と消費電力を予測した。更に、インバータ・チェイン回路においてNMOSの寄生バイポーラ効果に起因するオフ状態リーク電流の入力パルス幅依存性を初めて観測したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-28
著者
-
榊原 裕
通信・放送機構兵庫リサーチセンタ
-
榊原 裕
Ntt Lsi研究所
-
門 勇一
NTT LSI研究所
-
土屋 敏章
NTT LSI研究所
-
門 勇一
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
河合 義夫
NTT LSI研究所
-
大野 晃計
NTT LSI研究所
-
山本 栄一
NTT LSI研究所
-
大野 晃計
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
河合 義夫
日本電信電話(株)lsi研究所
-
大野 晃計
Ntt Lsi研
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