クォーターミクロンCMOSに適用した銅配線プロセス評価及びその電気特性への影響
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概要
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高速の論理LSIに於いて配線に起因する遅延及び信頼性の低下は深刻な問題になりつつある。このような中で従来のアルミ配線に替わり、低い電気抵抗率と高いマイグレーション耐性を有する銅配線が次世代LSIの有力な配線技術として近年盛んに研究が行われている。特に銅CVD、CMP等の銅配線のための個別プロセス技術は90年代になり著しく進歩し、小規模な回路への応用が可能な水準に達してきている。このような背景で我々は銅配線をゲート長クォーターミクロンレベルのCMOSに応用し、その素子特性及びリング発振器の動作について検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
三宅 雅保
NTT LSI研究所
-
猪川 洋
NTT LSI研究所
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岡崎 幸夫
Ntt Lsi研究所
-
小林 敏夫
Ntt Lsi研究所
-
小林 敏夫
Ntt Lsi研
-
粟屋 信義
NTT LSI研究所
-
有田 陸信
NTT LSI研究所
-
山本 栄一
NTT LSI研究所
-
三宅 雅安
NTT LSI 研究所
-
粟屋 信義
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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