Cu 配線技術 - 化学気相成長および反応性イオンエッチング技術 -

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会の論文
• 1992-11-10

著者

• 大野 一英

  Ntt Lsi研究所

• 佐藤 政明

  NTT LSI研究所

• 粟屋 信義

  NTT LSI研究所

• 有田 睦信

  NTT LSI 研究所

• 粟屋 信義

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

関連論文

• 完全空乏型CMOS/SIMOX素子の低電圧・低消費電力型VLSI構成要素としての優位性
• クォーターミクロンCMOSに適用した銅配線プロセス評価及びその電気特性への影響
• Cu 配線技術 - 化学気相成長および反応性イオンエッチング技術 -
• シリコンLSIにおける銅配線技術
• 水素パッシベーション法によるW-選択CVD技術と浅接合コンタクト形成への応用
• 水素パッシベーションを用いたp+Si高濃度表面清浄化技術とそのコンタクト形成への応用
• Si-LSIにおけるCu配線
• プラズマ化学気相成長による選択チタンシリサイド膜堆積とシリサイド張り付けシリコン電極形成プロセス〔英文〕
• オンチップ銅配線セルフアラインパッシベーション技術
• CuCVDプロセスの現状と課題
• 0.25μmULSI多層配線のための選択CVD-Alビアプラグ平坦化技術

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク