水素パッシベーションを用いたp+Si高濃度表面清浄化技術とそのコンタクト形成への応用
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概要
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水素バッシベーションを利用したpタイプ高濃度シリコン表面の清浄化法を提案し、シラン還元法によるタングステン選択成長の前処理への適用を検討した。水素バッシベーショシは水素および窒素の混合ガスプラズマを基板へ照射する方法により行った。60秒の照射により基板表面付近のキャリア濃度は約1桁低下する。その後、希フッ酸処理を行うと通常のp+表面と異なり容易に水素終端表面が形成されることを確認した。次にこのようにして得た清浄表面にシラン還元法によりタングステンの選択成長を行った。この結果、250℃から300℃までの成長温度で良好なオーミックコンタクトの形成が可能であることを明らかにした。コンタクト抵抗率はp,nコンタクトでそれぞれ0.3,0.1μΩcm2であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
石井 仁
NTT LSI研究所
-
小杉 敏彦
NTT LSI研究所
-
有田 睦信
NTT LSI 研究所
-
石井 仁
日本電信電話株式会社:豊橋技術科学大学
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