浅溝分離0.2μmCMOSと超低電力分周器への応用
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概要
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微細CMOSの低電力性能を有効利用するために、浅溝分離を0.2μmゲートCMOSへ適用した。デバイス構造とドーパント濃度の最適化により、狭チャネル効果、ハンプ電流、種々のリーク電流を生じること無しに、ディープ・サブミクロンのチャネル幅ならびに分離幅を実現した。得られた狭チャネルデバイスを用いて周波数分周器を製作したところ、初段における1入力クロックあたりの消費エネルギーが12fJという超低電力性能が達成できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-27
著者
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三宅 雅保
NTT LSI研究所
-
猪川 洋
NTT LSI研究所
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岡崎 幸夫
Ntt Lsi研究所
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小林 敏夫
Ntt Lsi研究所
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小林 敏夫
Ntt Lsi研
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山本 庸介
NTT LSI研究所
-
石井 仁
NTT LSI研究所
-
三宅 雅安
NTT LSI 研究所
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