ダブルゲートMOSFETにおける移動度・相互コンダクタンス増大現象の解析

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概要

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デバイス構造の工夫により、チャネル幅,不純物濃度等のデバイスパラメータを保ったままシリコン層厚さを同一基板内で変化できるダブルゲートMOSFETを製作した。本FETを用いて、シリコン層が完全空乏化することにより、飽和領域の相互コンダクタンスが(100)nチャネル、(111)nチャネル,(100)pチャネルで、それぞれ88%、98%、66%も増大する事を見いだした。相互コンダクタンスの増加を、ボディエフェクト減少と移動度増加の観点から解析した所、ボディエフェクトについては理論的予想とほぼ一致したが、観察された移動度増加は報告されている移動度・縦方向電界のユニバーサル関係からは説明できない事が判った。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-07-26

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